Хорошая цена  онлайн

Подробная информация о продукции

Дом > продукты >
Массив стекловолокна
>
Специальный MFD волокно массив 1310nm 1550nm для Кремниевой фотоники / Индиевого фосфида

Специальный MFD волокно массив 1310nm 1550nm для Кремниевой фотоники / Индиевого фосфида

Наименование марки: Gracyfiber
MOQ: 100 шт.
Условия оплаты: Л/К, Т/Т
Способность к поставкам: 100 000 штук в месяц
Подробная информация
Место происхождения:
Гуандун, Китай
Сертификация:
ISO9001 , ROHS
Имя:
Оптоволоконный массив МФД
Шаг волокна:
стандарт 250 мкм
Рабочая температура:
от -40°С до 85°С
Рабочая длина волны:
от 1260 до 1625 нм
Вносимая потеря:
<0,3 дБ
Возвратная потеря:
> 55 дБ
Количество клетчатки:
До 64 волокон
Поставка способности:
100 000 штук в месяц
Выделить:

Специальный MFD Fiber Array

,

MFD Fiber Array 1310 нм

,

MFD Fiber Array 1550 нм

Характер продукции

Пользовательский оптоволоконный массив MFD 1310 нм 1550 нм

1. Обзор продукта

Одномодовая волоконно-оптическая матрица с согласованием модового поля (SM MFD FA) компании GRACYFIBER представляет собой основной компонент оптической связи, разработанный для полного решения проблемы несоответствия мод между стандартным одномодовым оптоволокном и фотонными интегральными схемами (PIC).

Специальный MFD волокно массив 1310nm 1550nm для Кремниевой фотоники / Индиевого фосфида 0

2. Характеристики продукта
ПМ МФД ФА
Параметр Единица 1 2 4 8 12 16 24 32
Длина волны нм 1310/1550
Материалы - Пирекс, Темпакс, Кварц, Кремний
Вариант крышки
Крышка/Без Крышки
CorePitch - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127
Допуск основного шага мкм +/-0,3 +/-0,5
Польский угол Степень 8°, 41°, 82°, 90° или по индивидуальному заказу (12°, 21°,...) (±0,5°)
Тип угла - Тип или тип V
Вносимая потеря дБ ≤0,5 (типично 0,3)
Коэффициент затухания поляризации (PER) дБ ≥16 (типично ≥18)
Привязка оси поляризации - Медленная ось/Быстрая ось
Ориентация оси Степень 0°/45°/90°/по индивидуальному заказу
Точность выравнивания оси Степень ≤ ±2° (тип. ±1°)
Диаметр поля режима хм 6,0 мкм/7,5 мкм/9,0 мкм при 1310/1550 нм
или по индивидуальному заказу (доступно 3,3–10 мкм)
Допуск МФД - ±0,5 мкм (типично ±0,3 мкм)
Оптимизация муфты - Оптимизирован для повышения эффективности подключения к устройствам SiPh/PIC.
Возвратная потеря дБ УПК≥45, АПК≥55
Размер ФА Вт мм 2,5 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 5,7 5,7
ЧАС мм 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
л мм 10 10 10 10 10 12 12 12
- - Стандартный или индивидуальный
Тип волокна ПМ - UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&PM Волокно панды
Волокнистое покрытие хм Свободная трубка/лента 250 мкм/900 мкм (опция)
Тип волокна Длина см 100+/-10 или по индивидуальному заказу
Разъем - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
Рабочая температура °С -5~65
Температура хранения °С -40~85
СМ МФД ФА
Параметр Единица 1 2 4 8 12 16 24 32 48
Длина волны нм 1310/1550
Материалы - Пирекс, Темпакс, Кварц, Кремний
Вариант крышки
Крышка/Без Крышки
CorePitch - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127 127
Допуск основного шага мкм +/-0,3 +/-0,5 +/-0,7
Польский угол Степень 8°, 41°, 82°, 90° или по индивидуальному заказу (12°, 21°,...) (±0,5°)
Тип угла - Тип или тип V
Вносимая потеря дБ ≤0,8типично 0,5)
Возвратная потеря дБ УПК≥45, АПК≥55
Диаметр поля режима хм 6,0 мкм/7,5 мкм/9,0 мкм при 1310/1550 нм
или по индивидуальному заказу (доступно 2,6–10 мкм)
Допуск МФД - ±0,5 мкм (типично ±0,3 мкм)
Оптимизация муфты - Оптимизирован для повышения эффективности подключения к устройствам SiPh/PIC.
Размер ФА Вт мм 2,5 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 5,7 5,7 9
ЧАС мм 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
л мм 10 10 10 10 10 12 12 12 12
- - Стандартный или индивидуальный
Тип волокна ПМ - УХНА1/УХНА3/УХНА4/УХНА7&G657A1&G657A2
Волокнистое покрытие хм Свободная трубка/лента 250 мкм/900 мкм (опция)
Тип волокна Длина см 100+/-10 или по индивидуальному заказу
Разъем - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
Рабочая температура °С -5~65
Температура хранения °С -40~85


Функции:Широкие возможности настройки диаметра поля моды (MFD) и чрезвычайно узкие допуски


Функции:Оптимизированные сверхнизкие вносимые потери (<0,5 дБ, обычно 0,3 дБ) и высокие обратные потери


Функции:Широкий выбор специальных волокон (серия UHNA и G657A1/A2)


Функции:Высокоточная настройка высоты тона и гибкое расширение каналов (от 1 до 48 каналов)


Функции:Разнообразие материалов подложки (Pyrex, Tempax, Quartz, Silicon)


3. Приложения


  • Кремниевая фотоника (SiPh) и оптоэлектроника InP
  • Системы совместной оптики (CPO)
  • Модуляторы ниобата лития (LiNbO₃)
  • Когерентные модули оптической связи
  • Системы оптического зондирования и интерферометрии


Специальный MFD волокно массив 1310nm 1550nm для Кремниевой фотоники / Индиевого фосфида 1

Специальный MFD волокно массив 1310nm 1550nm для Кремниевой фотоники / Индиевого фосфида 2

Часто задаваемые вопросы

1. Как ваша технология «согласования полей в режиме MFD» решает проблему потерь связи в волноводах с кристаллами?

Диаметр поля моды стандартного одномодового волокна (приблизительно 9–10 мкм) намного больше, чем у кремниевой фотоники или волноводов на основе InP-чипа (обычно всего 1–3 мкм), что приводит к значительным потерям рассогласования полей мод при прямом сопряжении. Мы используем специальное волокно с высокой числовой апертурой (High-NA) или высокоточный конический переходной процесс для точного сжатия поля выходной моды (MFD) волоконного массива, достигая идеального физического соответствия размерам волновода вашего чипа. Эта технология принципиально устраняет эффект рассогласования полей мод, снижая общие потери связи (IL) до отраслевого предела. Перед отправкой с завода каждый канал подвергается 100% строгой 3D-интерферометрии и анализу профиля поля моды.


2. Каков диапазон рабочих температур и энергопотребление этого массива? Может ли он адаптироваться к средам с высокой плотностью рассеивания тепла?

Будучи чисто пассивным прецизионным оптическим интерфейсным компонентом, этот продукт потребляет мощность 0 Вт.