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MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid

MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid

Markenbezeichnung: Gracyfiber
MOQ: 100 Stück
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Versorgungsfähigkeit: 100.000 Stück pro Monat
Ausführliche Information
Herkunftsort:
Guangdong, China
Zertifizierung:
ISO9001 , ROHS
Name:
MFD-Faser-Array
Faserabstand:
250 µm Standard
Betriebstemperatur:
-40°C bis 85°C
Betriebswellenlänge:
1260 nm bis 1625 nm
Einfügedämpfung:
<0,3 dB
Rückflussverlust:
> 55 dB
Faseranzahl:
Bis zu 64 Fasern
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100.000 Stück pro Monat
Hervorheben:

Benutzerdefinierte MFD-Faser-Array

,

MFD-Faser-Array 1310 nm

,

MFD-Faser-Array 1550 nm

Produkt-Beschreibung

Anpassungs-MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm

1. Produktübersicht

GRACYFIBER's Mode Field Matched Single-Mode Fiber Array (SM MFD FA) is a core optical coupling component designed to completely solve the mode mismatch problem between standard single-mode fiber and photonic integrated circuits (PICs).

MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid 0

2. Produktmerkmale
PM MFD FA
Parameter Einheit 1 2 4 8 12 16 24 32
Wellenlänge m 1310/1550
Materialien - Pyrex, Tempax, Quarz, Silizium
Deckeloption
Deckel / ohne Deckel
CorePitch - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127
Kernschallverträglichkeit μm +/- 0.3 +/- 0.5
Polnischer Winkel Grade 8°,41°,82°,90° oder angepasst (12°, 21°,...) (± 0,5°)
Winkelart - Typ A oder Typ V
Einsetzungsverlust dB ≤0,5 (typische 0,3)
Polarisierungs-Auslöschungsverhältnis (PER) dB ≥16 (typisch ≥18)
Bezug auf die Polarisierungsachse - Langsame Achse / Schnelle Achse
Achsenorientierung Grade 0° /45°/90° / angepasst
Genauigkeit der Achsausrichtung Grade Der Wert der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 angegebenen Prüfwerte beträgt:
Modusfelddurchmesser Ich weiß nicht. 6.0 μm / 7,5 μm / 9,0 μm @ 1310 / 1550 nm
oder angepasst (3.3~10 μm verfügbar)
MFD-Toleranz - ±0,5 μm (typisch ±0,3 μm)
Kopplungsoptimierung - Optimiert für eine verbesserte Kopplungswirksamkeit zu SiPh / PIC-Geräten
Rückkehrverlust dB UPC ≥ 45, APC ≥ 55
FA-Dimension W mm 2.5 2.5 2.5 2.5 3.5 3.5 5.7 5.7
H mm 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
L mm 10 10 10 10 10 12 12 12
- - Standard oder angepasst
PM-Fasertyp - UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&PM Pandafasern
Fiberbeschichtung Ich weiß nicht. 250 μm / 900 μm loses Rohr / Band (optional)
Längen der Faserart cm 100+/-10 oder individuell
Verbindungsstück - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
Betriebstemperatur °C -5 bis 65
Speichertemperatur °C -40 bis 85
SM MFD FA
Parameter Einheit 1 2 4 8 12 16 24 32 48
Wellenlänge m 1310/1550
Materialien - Pyrex, Tempax, Quarz, Silizium
Deckeloption
Deckel / ohne Deckel
CorePitch - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127 127
Kernschallverträglichkeit μm +/- 0.3 +/- 0.5 +/- 0.7
Polnischer Winkel Grade 8°,41°,82°,90° oder angepasst (12°, 21°,...) (± 0,5°)
Winkelart - Typ A oder Typ V
Einsetzungsverlust dB ≤ 0,8 typische 0,5)
Rückkehrverlust dB UPC ≥ 45, APC ≥ 55
Modusfelddurchmesser Ich weiß nicht. 6.0 μm / 7,5 μm / 9,0 μm @ 1310 / 1550 nm
oder angepasst (2,6 ‰ 10 μm verfügbar)
MFD-Toleranz - ±0,5 μm (typisch ±0,3 μm)
Kopplungsoptimierung - Optimiert für eine verbesserte Kopplungswirksamkeit zu SiPh / PIC-Geräten
FA-Dimension W mm 2.5 2.5 2.5 2.5 3.5 3.5 5.7 5.7 9
H mm 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
L mm 10 10 10 10 10 12 12 12 12
- - Standard oder angepasst
PM-Fasertyp - Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Anforderungen.
Fiberbeschichtung Ich weiß nicht. 250 μm / 900 μm loses Rohr / Band (optional)
Längen der Faserart cm 100+/-10 oder individuell
Verbindungsstück - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
Betriebstemperatur °C -5 bis 65
Speichertemperatur °C -40 bis 85


Eigenschaften:Sehr anpassbarer Modusfelddurchmesser (MFD) und extrem enge Toleranzen


Eigenschaften:Optimierte sehr geringe Einsetzverluste (≤ 0,5 dB, typische 0,3 dB) und hohe Rücklaufverluste


Eigenschaften:Weite Auswahl an Spezialfasern (UHNA-Serie und G657A1/A2)


Eigenschaften:Hochgenaue Tonhöhenbereinigung und flexible Kanalvergrößerung (von 1 bis 48 Kanäle)


Eigenschaften:Abgleich verschiedener Substratmaterialien (Pyrex, Tempax, Quarz, Silizium)


3. Anwendungen


  • Silicon Photonics (SiPh) und InP Optoelectronics
  • Co-packaged Optics (CPO) -Systeme
  • Lithiumniobat (LiNbO3) Modulatoren
  • Kohärente optische Kommunikationsmodule
  • Optische Sensorik und Interferometrie


MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid 1

MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid 2

Häufig gestellte Fragen

1Wie löst Ihre "MFD Mode Field Matching"-Technologie den Kopplungsverlust von Chip-Wellenleitern?

Der Modusfelddurchmesser der Standard-Einmodusfaser (ca. 9-10 μm) ist viel größer als der der Siliziumphotonik oder der InP-Chip-Wellenleitungen (typischerweise nur 1-3 μm),bei direkter Kopplung zu einem signifikanten Verlust der Abweichung des Modusfeldes führenWir verwenden eine spezielle Faser mit hoher numerischer Blende (High-NA) oder einen präzisen, verjüngten Übergangsprozess, um das Ausgangsmodusfeld (MFD) der Faseransammlung präzise zu komprimieren.Erzielung einer perfekten physikalischen Übereinstimmung mit Ihren Chip-WellenleitungsdimensionenDiese Technologie beseitigt grundsätzlich den Effekt der Abweichung von Modusfeldern und reduziert den Gesamtkopplungsverlust (IL) auf die Branchengrenze.Jeder Kanal wird vor dem Verlassen der Fabrik einer 100%igen 3D-Interferometrie und Modefeldprofilanalyse unterzogen..


2. Wie ist der Betriebstemperaturbereich und der Stromverbrauch dieses Arrays? Kann es sich an Hochdichte-Chip-Wärmeabbau-Umgebungen anpassen?

Als reine passive optische Präzisionsschnittstellenkomponente hat dieses Produkt einen Stromverbrauch von 0 W.