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MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid

MFD-Faser-Array 1310nm 1550nm für Siliziumphotonik / Indiumphosphid

Markenbezeichnung: Gracyfiber
MOQ: 100 Stück
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
ISO CE RoSH
Name:
MFD-Faser-Array
Faserabstand:
250 µm Standard
Betriebstemperatur:
-40°C bis 85°C
Betriebswellenlänge:
1260 nm bis 1625 nm
Einfügedämpfung:
<0,3 dB
Rückflussverlust:
> 55 dB
Faseranzahl:
Bis zu 64 Fasern
Hervorheben:

Benutzerdefinierte MFD-Faser-Array

,

MFD-Faser-Array 1310 nm

,

MFD-Faser-Array 1550 nm

Produkt-Beschreibung

Benutzerdefinierte MFD-Glasfaser-Array 1310nm 1550nm

1. Produktübersicht

  GRACYFIBERs Mode Field Matched Single-Mode Fiber Array (SM MFD FA) ist eine zentrale optische Kopplungskomponente, die entwickelt wurde, um das Problem der Modenanpassung zwischen Standard-Singlemode-Fasern und photonischen integrierten Schaltungen (PICs) vollständig zu lösen. Für Wellenleiterbauelemente mit hoher Einschnürung wie Siliziumphotonik (SiPh), Indiumphosphid (InP) und Lithiumniobat (LiNbO₃) bieten wir präzise MFD-Konversionslösungen durch tiefgreifende Anpassung von Fasertyp, Kernparametern und Array-Geometrie. Dieses Array bietet flexible Deckel- oder deckellose Strukturen und ist perfekt kompatibel mit Edge-Coupling- und Butt-Coupling-Prozessen, wodurch Kopplungsverluste bei der optischen Verpackung erheblich reduziert und die Ausrichtungstoleranz stark verbessert werden. Es ist die bevorzugte Lösung für hochdichte, flache photonische Verpackungen.

2. Produktmerkmale
PM MFD FA
Parameter Einheit 1 2 4 8 12 16 24 32
Wellenlänge nm 1310/1550
Materialien - Pyrex, Tempax, Quarz, Silizium
Deckeloption   Mit Deckel / Ohne Deckel
Kernteilung - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127
Toleranz der Kernteilung μm +/-0,3 +/-0,5
Polierwinkel Grad 8°,41°,82°,90° oder kundenspezifisch (12°, 21°,...) (±0,5°)
Winkeltyp - Typ A oder Typ V
Einfügedämpfung dB ≤0,5 (typisch 0,3)
Polarisations-Extinktionsverhältnis (PER) dB ≥16 (typisch ≥18)
Referenz der Polarisationsachse - Langsame Achse / Schnelle Achse
Achsenorientierung Grad 0° /45°/ 90° / Kundenspezifisch
Genauigkeit der Achsenausrichtung Grad ≤ ±2° (typ. ±1°)
Modenfelddurchmesser um 6,0 μm / 7,5 μm / 9,0 μm @ 1310 / 1550 nm
oder kundenspezifisch (3,3–10 μm verfügbar)
MFD-Toleranz -  ±0,5 μm (typisch ±0,3 μm)
Kopplungsoptimierung - Optimiert für verbesserte Kopplungseffizienz zu SiPh / PIC-Geräten
Rückflussdämpfung dB UPC≥45, APC≥55
FA-Abmessungen B mm 2,5 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 5,7 5,7
H mm 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
L mm 10 10 10 10 10 12 12 12
- - Standard oder kundenspezifisch
PM-Fasertyp - UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&PM Panda-Faser
Faserbeschichtung um 250 µm / 900 µm lose Hülse / Band (optional)
Fasertyplänge cm 100+/-10 oder kundenspezifisch
Steckverbinder - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
Betriebstemperatur °C -5~65
Lagertemperatur °C -40~85
SM MFD FA
Parameter Einheit 1 2 4 8 12 16 24 32 48
Wellenlänge nm 1310/1550
Materialien - Pyrex, Tempax, Quarz, Silizium
Deckeloption   Mit Deckel / Ohne Deckel
Kernteilung - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127 127
Toleranz der Kernteilung μm +/-0,3 +/-0,5 +/-0,7
Polierwinkel Grad 8°,41°,82°,90° oder kundenspezifisch (12°, 21°,...) (±0,5°)
Winkeltyp - Typ A oder Typ V
Einfügedämpfung dB ≤0,8 (typisch 0,5)
Rückflussdämpfung dB UPC≥45, APC≥55
Modenfelddurchmesser um 6,0 μm / 7,5 μm / 9,0 μm @ 1310 / 1550 nm
oder kundenspezifisch (2,6–10 μm verfügbar)
MFD-Toleranz -  ±0,5 μm (typisch ±0,3 μm)
Kopplungsoptimierung - Optimiert für verbesserte Kopplungseffizienz zu SiPh / PIC-Geräten
FA-Abmessungen B mm 2,5 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 5,7 5,7 9
H mm 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
L mm 10 10 10 10 10 12 12 12 12
- - Standard oder kundenspezifisch
PM-Fasertyp - UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&G657A1&G657A2
Faserbeschichtung um 250 µm / 900 µm lose Hülse / Band (optional)
Fasertyplänge cm 100+/-10 oder kundenspezifisch
Steckverbinder - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
Betriebstemperatur °C -5~65
Lagertemperatur °C -40~85

(Entwickelt, um Ihre Probleme mit optischen Chipkopplungsverlusten und Verpackungstoleranzen zu lösen)

Merkmale: Hochgradig anpassbarer Modenfelddurchmesser (MFD) und extrem enge Toleranzen

Vorteil: Unterstützt kundenspezifische MFDs im Bereich von 6,0 μm, 7,5 μm, 9,0 μm oder 2,6–10 μm bei Wellenlängen von 1310/1550 nm, mit Toleranzen, die streng innerhalb von ±0,5 μm (typisch ±0,3 μm) kontrolliert werden. Dies passt perfekt zum Modenfeld des Mikrowellenleiters des photonischen Chips, eliminiert optische Verluste durch Modenanpassungsfehler erheblich und maximiert die optische Leistungsübertragungseffizienz Ihres Produkts.

Merkmale: Optimierte ultra-niedrige Einfügedämpfung (≤0,5 dB, typisch 0,3 dB) und hohe Rückflussdämpfung

Vorteil:Kombiniert mit einer hervorragenden Rückflussdämpfungsleistung von UPC ≥45 dB und APC ≥55 dB minimiert diese Funktion die Systemrückreflexion und spart optisches Leistungsbudget, was für hochsensible kohärente optische Module und präzise optische Sensorsysteme entscheidend ist.

Merkmale: Große Auswahl an Spezialfasern (UHNA-Serie und G657A1/A2)

Vorteil:Das Array kann Fasern mit ultrahoher numerischer Apertur (wie UHNA1/3/4/7) oder biegeunempfindliche Fasern verwenden. Dies verbessert nicht nur die Kopplungseffizienz mit miniaturisierten Siliziumphotonik-Chips, sondern verleiht der Faser auch einen extrem kleinen Biegeradius, was das Verdrahtungsdesign im begrenzten Raum des optischen Moduls erheblich vereinfacht.

Merkmale: Hochpräzise Teilungsanpassung und flexible Kanalerweiterung (1 bis 48 Kanäle)

Vorteil: Unterstützt 127 μm und 250 μm Kernteilung mit Toleranzen von bis zu ±0,3 μm. Diese hochkonsistente Mehrkanal-Erweiterungsfähigkeit hilft Kunden, schnell von Einzelkanal- auf 48-Kanal-Hochdichte-Photonik-Integrationsarchitekturen zu wechseln, ohne sich Gedanken über Ertragsverschlechterungen machen zu müssen.

Merkmale: Vielfältige Substratmaterialabstimmung (Pyrex, Tempax, Quarz, Silizium)

Vorteil: Ermöglicht es Kunden, das geeignete Substrat basierend auf den Eigenschaften ihrer aktiven Geräte auszuwählen. Dies stellt sicher, dass der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) der Komponente vollständig mit dem des Siliziumwafers oder InP-Chips übereinstimmt, und garantiert extreme thermische Stabilität in Betriebsumgebungen von -5°C bis 65°C.

3. Anwendungen

Unser SM MFD FA wurde speziell entwickelt, um die Kopplungseffizienz für hochrangige photonische integrierte Schaltungen zu optimieren:

  • Siliziumphotonik (SiPh) und InP-Optoelektronik: Löst Probleme der Modenfeldanpassung zwischen Standard-Glasfasern und Mikro-/Nanowellenleitern.
  • Co-packaged Optics (CPO) Systeme: Bietet optische I/O-Schnittstellen mit geringen Verlusten für ultra-hohe Bandbreiten-Switching-Chips der nächsten Generation.
  • Lithiumniobat (LiNbO₃) Modulatoren: Bietet eine physikalische Schnittstelle mit hoher Kopplungseffizienz und geringer Einfügedämpfung.
  • Kohärente optische Kommunikationsmodule: Erfüllt die strengen optischen Leistungsanforderungen für Fern- und Metropolnetzübertragungen.
  • Optische Sensorik- und Interferometriesysteme: Gewährleistet hohe Stabilität und hohes Signal-Rausch-Verhältnis in optischen Pfaden.
4. Verpackungsoptionen
  • Mit Kabel
  • FAU
  • Hermetisch
  • Ohne Deckel
  • Bereit für Hybridintegration