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कस्टम एमएफडी फाइबर ऐरे 1310nm 1550nm सिलिकॉन फोटोनिक्स / इंडियम फॉस्फाइड के लिए
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कस्टम एमएफडी फाइबर ऐरे 1310nm 1550nm सिलिकॉन फोटोनिक्स / इंडियम फॉस्फाइड के लिए

ब्रांड नाम: Gracyfiber
एमओक्यू: 100 पीसी
भुगतान की शर्तें: एल/सी,टी/टी
आपूर्ति करने की क्षमता: प्रति माह 100,000 टुकड़े
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
ग्वांगडोंग, चीन
प्रमाणन:
ISO9001 , ROHS
नाम:
एमएफडी फाइबर ऐरे
फाइबर पिच:
250 µm मानक
परिचालन तापमान:
-40°C से 85°C
संचालन तरंगदैर्घ्य:
1260 एनएम से 1625 एनएम
निविष्ट वस्तु का नुकसान:
<0.3 डीबी
वापसी हानि:
> 55 डीबी
फाइबर गिनती:
64 फाइबर तक
आपूर्ति की क्षमता:
प्रति माह 100,000 टुकड़े
प्रमुखता देना:

कस्टम एमएफडी फाइबर ऐरे

,

एमएफडी फाइबर ऐरे 1310nm

,

एमएफडी फाइबर ऐरे 1550nm

उत्पाद का वर्णन

कस्टम एमएफडी फाइबर सरणी 1310nm 1550nm

1उत्पाद का अवलोकन

GRACYFIBER's Mode Field Matched Single-Mode Fiber Array (SM MFD FA) is a core optical coupling component designed to completely solve the mode mismatch problem between standard single-mode fiber and photonic integrated circuits (PICs).

कस्टम एमएफडी फाइबर ऐरे 1310nm 1550nm सिलिकॉन फोटोनिक्स / इंडियम फॉस्फाइड के लिए 0

2उत्पाद की विशेषताएं
पीएम एमएफडी एफए
पैरामीटर इकाई 1 2 4 8 12 16 24 32
तरंगदैर्ध्य एनएम 1310/1550
सामग्री - पाइरेक्स, टेम्पैक्स, क्वार्ट्ज, सिलिकॉन
ढक्कन विकल्प
ढक्कन / ढक्कन रहित
कोरपिच - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127
कोर पिच सहिष्णुता μm +/-0.3 +/-0.5
पोलिश कोण डिग्री 8°,41°,82°,90° या अनुकूलित (12°, 21°,...) (±0.5°)
कोण प्रकार - A या V प्रकार
सम्मिलन हानि डीबी ≤0.5 (सामान्य 0.3)
ध्रुवीकरण विलुप्त होने का अनुपात (PER) डीबी ≥16 (सामान्य ≥18)
ध्रुवीकरण अक्ष संदर्भ - धीमी धुरी / तेज धुरी
अक्ष अभिविन्यास डिग्री 0° /45°/ 90° / अनुकूलित
अक्ष संरेखण सटीकता डिग्री ≤ ±2° (प्रकार ±1°)
मोड फ़ील्ड व्यास उह 6.0 μm / 7.5 μm / 9.0 μm @ 1310 / 1550 एनएम
या अनुकूलित (3.3~10 μm उपलब्ध)
एमएफडी सहिष्णुता - ±0.5 μm (सामान्य ±0.3 μm)
युग्मन अनुकूलन - SiPh / PIC उपकरणों के लिए बेहतर युग्मन दक्षता के लिए अनुकूलित
रिटर्न हानि डीबी यूपीसी≥45, एपीसी≥55
एफए आयाम W मिमी 2.5 2.5 2.5 2.5 3.5 3.5 5.7 5.7
H मिमी 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
L मिमी 10 10 10 10 10 12 12 12
- - मानक या अनुकूलित
पीएम फाइबर प्रकार - UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&PM पांडा फाइबर
फाइबर कोटिंग उह 250 μm / 900 μm ढीला ट्यूब / रिबन (वैकल्पिक)
फाइबर प्रकार लंबाई सेमी 100+/-10 या अनुकूलित
कनेक्टर - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
ऑपरेशन तापमान °C -5~65
भंडारण तापमान °C -40~85
एसएम एमएफडी एफए
पैरामीटर इकाई 1 2 4 8 12 16 24 32 48
तरंगदैर्ध्य एनएम 1310/1550
सामग्री - पाइरेक्स, टेम्पैक्स, क्वार्ट्ज, सिलिकॉन
ढक्कन विकल्प
ढक्कन / ढक्कन रहित
कोरपिच - - 250 127/250 127/250 127/250 127 127 127 127
कोर पिच सहिष्णुता μm +/-0.3 +/-0.5 +/-0.7
पोलिश कोण डिग्री 8°,41°,82°,90° या अनुकूलित (12°, 21°,...) (±0.5°)
कोण प्रकार - A या V प्रकार
सम्मिलन हानि डीबी ≤0.8सामान्य 0.5)
रिटर्न हानि डीबी यूपीसी≥45, एपीसी≥55
मोड फ़ील्ड व्यास उह 6.0 μm / 7.5 μm / 9.0 μm @ 1310 / 1550 एनएम
या अनुकूलित (2.6 ‰ 10 μm उपलब्ध)
एमएफडी सहिष्णुता - ±0.5 μm (सामान्य ±0.3 μm)
युग्मन अनुकूलन - SiPh / PIC उपकरणों के लिए बेहतर युग्मन दक्षता के लिए अनुकूलित
एफए आयाम W मिमी 2.5 2.5 2.5 2.5 3.5 3.5 5.7 5.7 9
H मिमी 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
L मिमी 10 10 10 10 10 12 12 12 12
- - मानक या अनुकूलित
पीएम फाइबर प्रकार - UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&G657A1&G657A2
फाइबर कोटिंग उह 250 μm / 900 μm ढीला ट्यूब / रिबन (वैकल्पिक)
फाइबर प्रकार लंबाई सेमी 100+/-10 या अनुकूलित
कनेक्टर - .FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
ऑपरेशन तापमान °C -5~65
भंडारण तापमान °C -40~85


विशेषताएं:अत्यधिक अनुकूलन योग्य मोड फील्ड व्यास (एमएफडी) और अत्यंत संकीर्ण सहिष्णुता


विशेषताएं:अनुकूलित अति-कम सम्मिलन हानि (≤0.5 dB, विशिष्ट 0.3 dB) और उच्च वापसी हानि


विशेषताएं:विशेष फाइबरों का विस्तृत चयन (यूएचएनए श्रृंखला और जी 657 ए 1 / ए 2)


विशेषताएं:उच्च सटीक पिच संरेखण और लचीला चैनल विस्तार (1 से 48 चैनल)


विशेषताएं:विभिन्न सब्सट्रेट सामग्री मिलान (Pyrex, Tempax, Quartz, Silicon)


3आवेदन


  • सिलिकॉन फोटोनिक्स (SiPh) और InP ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स
  • को-पैकेज्ड ऑप्टिक्स (सीपीओ) सिस्टम
  • लिथियम निओबेट (LiNbO3) मॉड्यूलेटर
  • सुसंगत ऑप्टिकल संचार मॉड्यूल
  • ऑप्टिकल सेंसिंग और इंटरफेरोमेट्री सिस्टम


कस्टम एमएफडी फाइबर ऐरे 1310nm 1550nm सिलिकॉन फोटोनिक्स / इंडियम फॉस्फाइड के लिए 1

कस्टम एमएफडी फाइबर ऐरे 1310nm 1550nm सिलिकॉन फोटोनिक्स / इंडियम फॉस्फाइड के लिए 2

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

1आपकी "एमएफडी मोड फील्ड मैचिंग" तकनीक चिप वेवगाइड के युग्मन हानि को कैसे हल करती है?

मानक सिंगल-मोड फाइबर (लगभग 9-10 μm) का मोड क्षेत्र व्यास सिलिकॉन फोटोनिक्स या InP चिप वेवगाइड (आमतौर पर केवल 1-3 μm) से बहुत बड़ा है,जिसके परिणामस्वरूप सीधे संयुग्मित होने पर महत्वपूर्ण मोड क्षेत्र असंगतता का नुकसान होता हैहम विशेष उच्च संख्यात्मक एपर्चर (उच्च एनए) फाइबर या उच्च परिशुद्धता कॉपर किए गए संक्रमण प्रक्रिया का उपयोग फाइबर सरणी के आउटपुट मोड क्षेत्र (एमएफडी) को सटीक रूप से संपीड़ित करने के लिए करते हैं,अपने चिप तरंग गाइड आयामों के साथ एक सही भौतिक मिलान प्राप्तयह तकनीक मौलिक रूप से मोड फील्ड असंगतता प्रभाव को समाप्त करती है, जिससे समग्र युग्मन हानि (आईएल) उद्योग सीमा तक कम हो जाती है।प्रत्येक चैनल को कारखाने से बाहर निकलने से पहले 100% कठोर 3D हस्तक्षेपमिति और मोड फील्ड प्रोफाइल विश्लेषण से गुजरना पड़ता है.


2. इस सरणी का संचालन तापमान रेंज और बिजली की खपत क्या है? क्या यह उच्च घनत्व चिप गर्मी अपव्यय वातावरण के अनुकूल हो सकता है?

एक विशुद्ध निष्क्रिय सटीक ऑप्टिकल इंटरफ़ेस घटक के रूप में, इस उत्पाद की बिजली की खपत 0W है।

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