این محصول یک قطر میدان 2CH MFD حالت PMFA است که با قطر قطب پذیری مطابقت دارد، مناسب برای ارتباطات نوری باند 1310/1550 نانومتر و برنامه های اتصال یکپارچه فوتونیک است.

2ویژگی های اصلی محصول

پارامتر		واحد	2CH
طول موج		nm	1310/1550
مواد		️	پیرکس، تمپاکس، کوارتز، سیلیکون
گزینه پوشش			کلاه / بدون کلاه
CorePitch		️	250
تحمل ارتفاع هسته ای		μm	+/- 03	+/- 05
زاویه لهستانی		درجه تحصیلی	8°,41°,82°,90° یا سفارشی (12°, 21°,...) (±0.5°)
نوع زاویه		️	نوع A یا نوع V
از دست دادن ورودی		دی بی	≤0.5 ((معمولا 0.3)
نسبت انقراض قطبی شدن (PER)		دی بی	≥16 (معمولا ≥18)
مرجع محور قطبی شدن		️	محور آهسته / محور سریع
جهت گیری محور		درجه تحصیلی	0° /45°/ 90° / سفارشی
دقت تراز محور		درجه تحصیلی	≤ ±2° (نوع ±1°)
قطر میدان حالت		امم	6.0 μm / 7.5 μm / 9.0 μm @ 1310 / 1550 nm یا سفارشی شده (3.3~10 μm در دسترس)
تحمل MFD		️	±0.5 μm (معمولا ±0.3 μm)
بهینه سازی اتصال		️	بهینه سازی شده برای بهبود بهره وری اتصال به دستگاه های SiPh / PIC
بازده از دست دادن		دی بی	UPC≥45، APC≥55
ابعاد FA	W	mm	2.5
	H	mm	2.5
	L	mm	10
	️	️	استاندارد یا سفارشی
نوع فیبر PM		️	فیبر پاندا UHNA1/UHNA3/UHNA4/UHNA7&PM
پوشش فیبر		امم	250 μm / 900 μm لوله / نوار گشاده (اختیاری)
طول نوع فیبر		سانتی متر	100+/-10 یا سفارشی
کانکتور		️	.FC/LC/SC/E2000/MT/MPO/MMC
دمای کار		°C	-۵ تا ۶۵
دمای ذخیره سازی		°C	-40 تا 85

طراحی تطبیق میدان حالت دو کانال

با استفاده از یک ساختار آرایه 2CH با پچ هسته ای 250 μm، برای اتصال سیگنال نوری دو کانال و بسته بندی دستگاه فوتونیک کوچک مناسب است.
قابلیت سفارشی سازی دقیق MFD

از قطر میدان حالت 6.0 μm، 7.5 μm و 9.0 μm در 1310/1550 nm پشتیبانی می کند و همچنین می تواند قطر میدان حالت 3.3 ∼10 μm را سفارشی کند. تحمل MFD ± 0.5 μm است، به طور معمول ± 0.3 μm است.
از دست دادن کم ورودی و از دست دادن بازده بالا

از دست دادن ورودی ≤ 0.5 dB، به طور معمول 0.3 dB؛ از دست دادن بازگشت UPC ≥45 dB، APC ≥55 dB، که به بهبود ثبات پیوند کمک می کند.
قطب بندی پایدار حفظ عملکرد

نسبت انقراض قطبی PER ≥16 dB، به طور معمول ≥18 dB؛ از مرجع محور آهسته / محور سریع پشتیبانی می کند، زاویه محوری قابل انتخاب 0 °، 45 °، 90 ° یا سفارشی، دقت تراز محوری ≤±2 °.
ساختار بسیار قابل تنظیم

مواد شامل Pyrex ، Tempax ، Quartz و Silicon ، پشتیبانی از سازه های پوشش / بدون پوشش و طرح های زاویه ای A-Type / V-Type است. گزینه های فیبر PM شامل UHNA1 / UHNA3 / UHNA4 / UHNA7 و فیبر PM Panda است.

3درخواست ها

اتصال و بسته بندی تراشه سیلیکون فوتونیک (SiPh)
اتصال دستگاه یکپارچه فوتونیک (PIC)
ماژول های ارتباطات نوری با سرعت بالا 1310/1550 nm
ارتباطات نوری منسجم و سیستم های مسیر نوری که قطبی سازی را حفظ می کنند
ماژولاتور LiNbO3، لیزر و اتصال آشکارگر
سیستم های نوری بسته بندی شده CPO
سیستم های اتصال و آزمایش مسیر نوری با دقت بالا در آزمایشگاه ها

برچسب ها:

MFD FA قطر میدان مد آرایه فیبر,قطر میدان مد آرایه فیبر 1310 نانومتر,قطر میدان مد آرایه فیبر 1550 نانومتر

Mode Field Diameter Fiber Array 1310nm

Mode Field Diameter Fiber Array 1550nm

محصولات مرتبط

2CH SMFA Fiber Array، 2CH Single Mode Fiber Array، 2CH MFD Conversion Fiber Array. 250μm Pitch، زاویه 0°. Nufern UHNA7 به G657A2 Spliced. FC/APC، کم IL <0.3dB. فرستنده نوری FA.

حالا حرف بزن

2CH SMFA Fiber Array، 2CH Single Mode Fiber Array، 2CH MFD Conversion Fiber Array. 250μm Pitch، زاویه 0°. Nufern UHNA7 به G657A2 Spliced. FC/APC، کم IL <0.3dB. فرستنده نوری FA.

حالا حرف بزن

MFD FA قطر میدان مد آرایه فیبر حفظ کننده قطبش 1310 نانومتر 1550 نانومتر برای SiPh / PIC

حالا حرف بزن

آرایه فیبر نوری FA با پیکربندی 1 کانال تا 128 کانال برای PLC / AWG / فوتونیک سیلیکونی

حالا حرف بزن

آرایه فیبر MFD سفارشی 1310nm 1550nm برای سیلیکون فوتونیک / فوسفید ایندیوم

حالا حرف بزن